BSA Серия BONN Elektronik Усилитель мощности
BSA Серия
Твердотельный усилитель мощности
| Модель | Диапазон частот |
|---|---|
| BSA 0025 | 4 кГц ... 250 МГц |
| BSA 0040 | 4 кГц ... 400 МГц |
| BSA 0110 | 9 кГц ... 100 МГц |
| BSA 0122 | 9 кГц ... 220 МГц |
| BSA 0125 | 9 кГц ... 250 МГц |
| BSA 0140 | 9 кГц ... 400 МГц |
| BSA 0150 | 9 кГц ... 500 МГц |
| BSA 0101 | 9 кГц ... 1000 МГц |
| BSA 0102 | 9 кГц ... 2500 МГц |
| BSA 0103 | 9 кГц ... 3000 МГц |
| BSA 0106 | 9 кГц ... 6000 МГц |
| BSA 1010 | 100 кГц ... 100 МГц |
| BSA 1025 | 100 кГц ... 250 МГц |
| BSA 1040 | 100 кГц ... 400 МГц |
| BSA 1050 | 100 кГц ... 500 МГц |
| BSA 1001 | 100 кГц ... 1000 МГц |
| BSA 1515 | 150 кГц ... 150 МГц |
| BSA 1501 | 150 кГц ... 1000 МГц |
| BSA 1503 | 150 кГц ... 3000 МГц |
| BSA 5001 | 500 кГц ... 1000 МГц |
| Модель | Диапазон частот |
|---|---|
| BSA 0025 | 4 кГц ... 250 МГц |
| BSA 0040 | 4 кГц ... 400 МГц |
| BSA 0110 | 9 кГц ... 100 МГц |
| BSA 0122 | 9 кГц ... 220 МГц |
| BSA 0125 | 9 кГц ... 250 МГц |
| BSA 0140 | 9 кГц ... 400 МГц |
| BSA 0150 | 9 кГц ... 500 МГц |
| BSA 0101 | 9 кГц ... 1000 МГц |
| BSA 0102 | 9 кГц ... 2500 МГц |
| BSA 0103 | 9 кГц ... 3000 МГц |
| BSA 0106 | 9 кГц ... 6000 МГц |
| BSA 1010 | 100 кГц ... 100 МГц |
| BSA 1025 | 100 кГц ... 250 МГц |
| BSA 1040 | 100 кГц ... 400 МГц |
| BSA 1050 | 100 кГц ... 500 МГц |
| BSA 1001 | 100 кГц ... 1000 МГц |
| BSA 1515 | 150 кГц ... 150 МГц |
| BSA 1501 | 150 кГц ... 1000 МГц |
| BSA 1503 | 150 кГц ... 3000 МГц |
| BSA 5001 | 500 кГц ... 1000 МГц |
Похожие товары
Полезные материалы
Усилители мощности СВЧ охватывают широкий спектр применений — от радиолокации и связи до промышленности и медицины. В каждой области предъявляются специфические требования к выходной мощности, линейности, КПД, массогабаритным показателям и надежности. Твердотельные усилители на GaN- и LDMOS-транзисторах доминируют в большинстве наземных применений благодаря компактности и высокому КПД.
Тепловой режим усилителя мощности определяет его надежность, долговечность и способность сохранять выходные параметры при работе на высоких уровнях сигнала. Активные компоненты усилителя — транзисторы и микросхемы — рассеивают значительную мощность в виде тепла, которое необходимо эффективно отводить от кристалла в окружающую среду. Превышение допустимой температуры полупроводниковой структуры приводит к необратимым изменениям физических свойств материала: снижению подвижности носителей заряда, увеличению токов утечки, тепловому пробою p-n-переходов. В результате падает выходная мощность, растут нелинейные искажения, сокращается ресурс работы, а в критическом случае происходит катастрофический отказ усилителя.